STW8N90K5 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1,784库存量
¥38.7929
¥19.436
¥17.6958
¥14.8934
¥14.6448
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 680 mOhms 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 1,270库存量
¥32.5892
¥16.046
¥14.5544
¥11.7407
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 720 mOhms 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 358库存量
¥38.5443
¥25.312
¥18.8597
¥15.7974
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 900 mOhms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube