STWA68N65DM6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 无库存交货期 18 周
¥59.9691
¥56.3305
最低: 600
倍数: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 59 mOhms 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STWA68N65DM6AG
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Si AEC-Q101 MDmesh Tube