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SUP60030E-GE3

Name: Vishay SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SUP60030E-GE3
Price: 36.89 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SUP60030E-GE3

制造商编号：

SUP60030E-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 80V Vds 20V Vgs TO-220

数据表:

SUP60030E-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	141 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Tube
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	14 ns
正向跨导 - 最小值:	82 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	SUP
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	24 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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Application Notes

Torque Recommendations for TO-220 Devices

Models

Technical Resources

TO-220AB

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

SUM 和 SUP ThunderFET TrenchFET MOSFET

Vishay SUM 和 SUP ThunderFET TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道极性选项，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中的小 V_ds 电压范围 MOSFET 上进行扩展。这些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封装，具有 60V、80V 和 100V V_ds 电压。应用包括电源、电机驱动器开关、直流/直流电源逆变器和整流器、电动工具及电池管理。
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