SUP90N06-05L-E3

Vishay / Siliconix
781-SUP90N06-05L-E3
SUP90N06-05L-E3

制造商:

说明:
MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3.9 mOhms
20 V
1 V
300 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
TrenchFET
Tube
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 280 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 130 ns
系列: SUP
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合,适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
最少: 500   倍数: 500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.3064 ¥13,153.20
¥23.5718 ¥23,571.80