TJ15S10M3 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Toshiba TJ15S10M3
Toshiba MOSFET N/A
Si U-MOSVI


Toshiba MOSFET
数据表
1,991预期 2027/2/12
¥15.5488
¥9.7632
¥6.441
¥5.1076
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最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 130 mOhms - 20 V, 10 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement