TJ90S04M3L MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba TJ90S04M3L
Toshiba MOSFET N/A
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 6 mOhms - 20 V, 10 V 1 V 172 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,609库存量
剪切带
¥21.3457
¥10.7576
¥9.3451
¥7.6727
卷轴
¥6.4749
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET DPAK+ PD=180W F=1MHZ 4,489库存量
剪切带
¥25.9674
¥12.9046
¥11.6616
¥9.4242
¥9.266
卷轴
¥8.4411
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 1 V 172 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel