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TK024Z60Z1 MOSFET

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封装 / 箱体

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET 600 V 0.024 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS TK024Z60Z1,S1F Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK024Z60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK024Z60Z1S1F 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.024 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	80 A	24 mOhms	30 V	4 V	140 nC	+ 150 C	506 W	Enhancement	Tube
	MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 TK024N60Z1,S1F Toshiba 1: ¥115.6329 33库存量 30预期 2027/4/22 新产品	制造商零件编号 TK024N60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK024N60Z1S1F 新产品	Toshiba	MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 了解更多关于Toshiba dtmos ivh mosfets 的信息	数据表	33库存量 30预期 2027/4/22	¥115.6329 ¥90.739	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	80 A	24 mOhms	30 V	4 V	140 nC	+ 150 C	506 W	Enhancement	Tube
	MOSFET 600 V 0.040 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS TK040Z60Z1,S1F Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK040Z60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK040Z60Z1S1F 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.040 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	52 A	40 mOhms	30 V	4 V	85 nC	+ 150 C	297 W	Enhancement	Tube
	MOSFET 600 V 0.063 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS TK063Z60Z1,S1F Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK063Z60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK063Z60Z1S1F 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.063 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	63 mOhms	30 V	4 V	56 nC	+ 150 C	242 W	Enhancement	Tube