TK034N60Z5 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET 600 V 0.034 Ohm N-ch MOSFET TO-247 DTMOS
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 34 mOhms 30 V 4.5 V 105 nC + 150 C 360 W Enhancement Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 4,086库存量
¥77.6649
¥56.6582
¥53.8445
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 62 mOhms 30 V 3 V 135 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube