TK055U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK055U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK055U60Z1RQ
Price: 51.09 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

757-TK055U60Z1RQ

制造商编号：

TK055U60Z1,RQ

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	65 nC
Pd-功率耗散:	270 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	132 ns
典型接通延迟时间:	59 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

采用TOLL封装的高压DTMOS VI MOSFET

Toshiba高压DTMOSVI MOSFET采用TOLL封装，具有低漏源导通电阻和高速开关特性，电容较低。因此，该款器件非常适合用于开关电源应用。这款最新一代DTMOSVI具有最低品质因数RDS(ON)xQgd，并采用新型TOLL封装 (9.9 × 11.68 × 2.3mm)，带开尔文源连接，以降低导通和关断损耗。