TK063N60Z1 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53库存量
¥65.5061
¥43.844
¥35.2334
¥31.3462
¥27.798
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600 V 0.063 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube