TK065N65Z MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET N/A
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms 30 V 4 V 62 nC + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI
Toshiba MOSFET 270W 1MHz TO-247
数据表
458在途量
剪切带
¥73.2918
¥49.8782
卷轴
¥49.8782
最低： 1
倍数： 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape