TK095N65Z5 MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ 无库存交货期 24 周
¥61.4607
¥34.0808
¥31.2671
¥26.8036
¥25.9674
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 230W 1MHz TO-247 2库存量
剪切带
¥69.3933
¥36.3973
卷轴
¥36.3973
最低: 1
倍数: 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape

Toshiba MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V 1,969库存量
¥103.1464
¥57.0763
¥56.9859
¥53.3473
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFET 270W 1MHz TO-247
458在途量
剪切带
¥73.2918
¥49.8782
卷轴
¥49.8782
最低: 1
倍数: 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET DFN 8 x 8 DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 600 V 0.042 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 42 mOhms 30 V 4.5 V 105 nC + 150 C 360 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba TK042N65Z5,S1F
Toshiba MOSFET 650V DTMOS6 HSD TO-247 42mohm
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Tube