TK099A60Z1 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A 1,038库存量
¥25.8092
¥11.9893
¥9.266
¥8.2603
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube