TK099N60Z1 MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20库存量
¥50.5449
¥33.0864
¥24.3967
¥21.6734
¥19.1874
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 230W 1MHz 8x8DFN 7,245库存量
剪切带
¥53.6863
¥28.3743
¥25.9674
¥24.069
卷轴
¥23.6622
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 230W 1MHz TO-247 2库存量
剪切带
¥69.3933
¥36.3973
卷轴
¥36.3973
最低: 1
倍数: 1
: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1,961库存量
剪切带
¥41.6066
¥27.3008
¥20.3513
¥17.0404
¥15.7974
卷轴
¥14.803
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube