中国
TK099Z60Z1,S1F
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757-TK099Z60Z1S1F
TK099Z60Z1,S1F
制造商：
说明：
MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
MOSFET 600 V 0.099 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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数据表
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
合规代码
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 中国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
供货情况
-
库存：
-
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