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TK100A10N1 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V TK100A10N1,S4X Toshiba 1: ¥37.968 96库存量 150预期 2027/1/27	制造商零件编号 TK100A10N1,S4X Mouser 零件编号 757-TK100A10N1S4X	Toshiba	MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	96库存量 150预期 2027/1/27	¥37.968 ¥24.8939 ¥18.532 ¥15.4697 查看 ¥14.3962 ¥13.56	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	3.1 mOhms	20 V	4 V	140 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Tube
	MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A TK100E10N1,S1X Toshiba 1: ¥36.2278 361库存量	制造商零件编号 TK100E10N1,S1X Mouser 零件编号 757-TK100E10N1S1X	Toshiba	MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	361库存量	¥36.2278 ¥18.532 ¥17.7862 ¥13.7295 查看 ¥13.4018 ¥13.2323	最低： 1 倍数： 1			Si			N-Channel	1 Channel											U-MOSVIII-H	Tube
	MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS TK22E10N1,S1X Toshiba 1: ¥18.6902 138库存量	制造商零件编号 TK22E10N1,S1X Mouser 零件编号 757-TK22E10N1S1X	Toshiba	MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	138库存量	¥18.6902 ¥8.9383 ¥7.9552 ¥6.1133	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	52 A	13.8 mOhms	20 V	2 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Tube
	MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS TK34E10N1,S1X Toshiba 1: ¥16.7127 297预期 2027/4/21	制造商零件编号 TK34E10N1,S1X Mouser 零件编号 757-TK34E10N1S1X	Toshiba	MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	297预期 2027/4/21	¥16.7127 ¥8.0343 ¥7.1755 ¥5.6839 查看 ¥5.5031 ¥5.311 ¥5.2093 ¥4.8025	最低： 1 倍数： 1			Si			N-Channel	1 Channel											U-MOSVIII-H	Tube