TK100E06N1 MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA 65库存量
¥34.9848
¥17.5376
¥14.3962
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 263 A 1.9 mOhms 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 60V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC 1,355库存量
¥16.2946
¥7.8874
¥6.2489
¥5.2432
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 10.4 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 67 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS 574库存量
¥14.8934
¥7.0173
¥6.2376
¥4.8816
¥4.4296
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 43 A 15 mOhms 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V 100库存量
¥30.5213
¥15.3906
¥14.3962
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.2 mOhms 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A 127库存量
¥51.1212
¥26.9618
¥26.8827
¥26.4646
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 214 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V 149库存量
350预期 2027/1/27
¥13.9781
¥6.6444
¥5.9099
¥5.5709
¥5.2884
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 8.4 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A 361库存量
¥36.2278
¥18.532
¥17.7862
¥13.7295
最低: 1
倍数: 1
Si N-Channel 1 Channel U-MOSVIII-H Tube