TK100E08N1 MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A 127库存量
¥51.1212
¥26.9618
¥26.8827
¥26.4646
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 214 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA 59库存量
¥34.9848
¥17.5376
¥14.3962
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 263 A 1.9 mOhms 20 V 2 V 140 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V 578库存量
¥16.4641
¥7.8761
¥7.5032
¥6.0794
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 80 V 46 A 6.9 mOhms 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81nC 129库存量
¥32.8378
¥21.5039
¥15.8765
¥15.3002
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 157 A 4.3 mOhms 20 V 81 nC 192 W U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V 569库存量
¥16.2946
¥7.8083
¥7.4241
¥5.876
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 10 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V 无库存
¥48.9629
¥25.7301
¥23.4136
¥19.9332
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.6 mOhms 20 V 4 V 130 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube