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TK10Q60W MOSFET
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晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
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Vgs - 栅极-源极电压
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最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Through Hole
重置
TO-251-3
重置
N-Channel
重置
1 Channel
重置
600 V
≤
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重置
9.7 A
≤
≥
重置
327 mOhms
≤
≥
重置
30 V
≤
≥
重置
3.7 V
≤
≥
重置
20 nC
≤
≥
重置
- 55 C
≤
≥
重置
+ 150 C
≤
≥
重置
80 W
≤
≥
重置
Enhancement
重置
DTMOSIV
重置
Tube
重置
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安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
MOSFET
Toshiba TK10Q60W
TK10Q60W
Toshiba
制造商零件编号
TK10Q60W
Mouser 零件编号
未分配
Toshiba
MOSFET
N/A
无库存,请致电询价
Si
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
1:
¥38.6234
无库存交货期 16 周
制造商零件编号
TK10Q60W,S1VQ
Mouser 零件编号
757-TK10Q60WS1VQ
Toshiba
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
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关于Toshiba dtmos iv
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数据表
无库存交货期 16 周
1
¥38.6234
10
¥18.7806
75
¥17.0404
525
¥14.7239
1,050
¥14.5544
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
327 mOhms
30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
80 W
Enhancement
DTMOSIV
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