TK110E65Z,S1X
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
757-TK110E65ZS1X
TK110E65Z,S1X
制造商:
说明:
MOSFET 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
MOSFET 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
数据表:
数据表
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
合规代码
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 中国
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
库存量: 40
-
库存:
-
40 可立即发货出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期:
-
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
定价 (含13% 增值税)
| 数量 | 单价 |
总价
|
|---|---|---|
| ¥50.624 | ¥50.62 | |
| ¥33.1655 | ¥331.66 | |
| ¥24.3967 | ¥2,439.67 | |
| ¥21.6734 | ¥10,836.70 | |
| ¥19.2778 | ¥19,277.80 |

中国