TK11S10N1L MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba TK11S10N1L
Toshiba MOSFET N/A
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 50 mOhms 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H
Toshiba MOSFET 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,652库存量
2,000预期 2027/1/11
剪切带
¥11.7407
¥5.5144
¥4.9042
¥3.8307
卷轴
¥3.1866
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
2,828库存量
剪切带
¥13.2323
¥6.2263
¥5.5483
¥4.3505
卷轴
¥3.6273
¥3.3448
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel