.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TK125N60Z1 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ TK125N60Z1,S1F Toshiba 1: ¥50.2963 20库存量	制造商零件编号 TK125N60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK125N60Z1S1F	Toshiba	MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	20库存量	¥50.2963 ¥25.8092 ¥23.4927 ¥21.1762 ¥20.5999	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	125 mOhms	30 V	4 V	28 nC	+ 150 C	150 W	Enhancement	Tube
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ TK080N60Z1,S1F Toshiba 1: ¥62.6133 149库存量	制造商零件编号 TK080N60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK080N60Z1S1F	Toshiba	MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	149库存量	¥62.6133 ¥32.8378 ¥32.7587 ¥28.0353 ¥27.5494	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	80 mOhms	30 V	4 V	43 nC	+ 150 C	211 W	Enhancement	Tube
MOSFET 600 V 0.125 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS TK125Z60Z1,S1F Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK125Z60Z1,S1F Mouser 零件编号 757-TK125Z60Z1S1F 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.125 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	125 mOhms	30 V	4 V	28 nC	+ 150 C	150 W	Enhancement	Tube

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