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TK190A60Z1 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET 600 V 0.190 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS TK190A60Z1,S4X Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK190A60Z1,S4X Mouser 零件编号 757-TK190A60Z1S4X 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.190 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	190 mOhms	30 V	4 V	20 nC	+ 150 C	40 W	Enhancement	Tube
	MOSFET 600 V 0.190 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS TK190E60Z1,S1X Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TK190E60Z1,S1X Mouser 零件编号 757-TK190E60Z1S1X 新产品	Toshiba	MOSFET 600 V 0.190 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	190 mOhms	30 V	4 V	20 nC	+ 150 C	113 W	Enhancement	Tube

TK190A60Z1 MOSFET

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