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TK190E65Z MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220 PD=130W F=1MHZ TK190E65Z,S1X Toshiba 1: ¥34.7362 128库存量	制造商零件编号 TK190E65Z,S1X Mouser 零件编号 757-TK190E65ZS1X	Toshiba	MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220 PD=130W F=1MHZ	数据表	128库存量	¥34.7362 ¥22.7469 ¥16.9613 ¥14.2267 查看 ¥13.1532 ¥12.3283	最低： 1 倍数： 1	Si					650 V	15 A	158 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement		Tube
MOSFET 230W 1MHz TO-247 TK090N65Z,S1F Toshiba 1: ¥69.3933 2库存量	制造商零件编号 TK090N65Z,S1F Mouser 零件编号 757-TK090N65ZS1F	Toshiba	MOSFET 230W 1MHz TO-247 了解更多关于Toshiba dtmosvi mosfets 的信息	数据表	2库存量	剪切带 ¥69.3933 ¥36.3973 卷轴 ¥36.3973	最低： 1 倍数： 1 : 30	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	90 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSVI	Reel, Cut Tape
MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI TK190A65Z,S4X Toshiba 1: ¥44.2508 96库存量	制造商零件编号 TK190A65Z,S4X Mouser 零件编号 757-TK190A65ZS4X	Toshiba	MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI 了解更多关于Toshiba 650v dtmos vi mosfets 的信息	数据表	96库存量	¥44.2508 ¥28.9506 ¥21.5943 ¥18.1139 查看 ¥16.7918 ¥15.7183	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	190 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement		Tube

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