TK1K9A60F MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba TK1K9A60F
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A 无库存交货期 16 周
¥13.1532
¥8.1586
¥5.3788
¥4.2262
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube