.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TK20E60W MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET Toshiba TK20E60W TK20E60W Toshiba	制造商零件编号 TK20E60W Mouser 零件编号未分配	Toshiba	MOSFET		N/A		无库存，请致电询价	Si
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A TK20E60W,S1VX Toshiba 1: ¥41.358 58库存量	制造商零件编号 TK20E60W,S1VX Mouser 零件编号 757-TK20E60WS1VX	Toshiba	MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	58库存量	¥41.358 ¥21.4248 ¥21.3457	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	130 mOhms	30 V	3.7 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	165 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
MOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK20E60W5,S1VX Toshiba 1: ¥38.3748 80库存量	制造商零件编号 TK20E60W5,S1VX Mouser 零件编号 757-TK20E60W5S1VX	Toshiba	MOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	80库存量	¥38.3748 ¥21.0067	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	175 mOhms	30 V	4.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	165 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube

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