TK33S10N1L MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba TK33S10N1L
Toshiba MOSFET N/A
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 16.2 mOhms 20 V 1.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H
Toshiba MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101
968库存量
2,000预期 2026/11/16
剪切带
¥23.2441
¥11.4921
¥10.3395
¥8.3507
¥7.7631
卷轴
¥7.3337
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms 20 V 1.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
877库存量
剪切带
¥16.4641
¥7.8874
¥7.0512
¥5.5822
卷轴
¥5.0285
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel