.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TK40E06N1 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET Toshiba TK40E06N1 TK40E06N1 Toshiba	制造商零件编号 TK40E06N1 Mouser 零件编号未分配	Toshiba	MOSFET		N/A		无库存，请致电询价			Si
	MOSFET 60V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC TK40E06N1,S1X Toshiba 1: ¥16.2946 1,355库存量	制造商零件编号 TK40E06N1,S1X Mouser 零件编号 757-TK40E06N1S1X	Toshiba	MOSFET 60V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	1,355库存量	¥16.2946 ¥7.8874 ¥6.2489 ¥5.2432 查看 ¥4.8025 ¥4.3505 ¥4.3166 ¥4.3053 ¥3.5482	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	60 A	10.4 mOhms	20 V	2 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	67 W	Enhancement	U-MOSVIII-H	Tube

TK40E06N1 MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持