TK40E10N1 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Pd-功率耗散 商标名 封装
Toshiba TK40E10N1
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET 40V N0Ch PWR FET 90A 126W 3000pF 159库存量
¥20.679
¥12.1588
¥10.8367
¥7.2207
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 8.2 mOhms 20 V 126 W U-MOSVIII-H Tube