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RoHS

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TK49N65W MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET Toshiba TK49N65W TK49N65W Toshiba	制造商零件编号 TK49N65W Mouser 零件编号未分配	Toshiba	MOSFET		N/A		无库存，请致电询价			Si
	MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor TK49N65W,S1F Toshiba 1: ¥117.294 56库存量	制造商零件编号 TK49N65W,S1F Mouser 零件编号 757-TK49N65WS1F	Toshiba	MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	56库存量	¥117.294 ¥82.8855 ¥72.7946	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	49.2 A	55 mOhms	30 V	2.5 V	160 nC		+ 150 C	400 W	Enhancement		Tube
	MOSFET TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS TK49N65W5,S1F Toshiba 1: ¥102.3215 29预期 2026/10/26	制造商零件编号 TK49N65W5,S1F Mouser 零件编号 757-TK49N65W5S1F	Toshiba	MOSFET TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	29预期 2026/10/26	¥102.3215 ¥74.0263 ¥61.6189 ¥54.918 ¥52.0252	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	49.2 A	57 mOhms	30 V	4.5 V	185 nC	- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
	MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V TK49N65W,S1F(S Toshiba 1: ¥104.7962 无库存	制造商零件编号 TK49N65W,S1F(S Mouser 零件编号 757-TK49N65W,S1F(S	Toshiba	MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V 了解更多关于Toshiba dtmos iv 的信息	数据表	无库存	¥104.7962 ¥78.083 ¥65.0202 ¥57.9012 ¥54.5112	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	49.2 A	55 mOhms	30 V	2.5 V	160 nC		+ 150 C	400 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube