TK55S10N1 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
1,517库存量
剪切带
¥32.3406
¥16.3737
¥14.803
¥12.1588
卷轴
¥11.413
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,798库存量
剪切带
¥19.6846
¥9.5937
¥8.5993
¥6.8252
¥6.6218
卷轴
¥5.8082
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 6.5 mOhms 20 V 4 V 49 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V 96库存量
150预期 2027/1/27
¥37.968
¥24.8939
¥18.532
¥15.4697
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 3.1 mOhms 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS 138库存量
¥18.6902
¥8.9383
¥7.9552
¥6.1133
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 13.8 mOhms 20 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube
Toshiba MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF 375库存量
¥27.3008
¥13.6504
¥13.1532
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 148 A 4 mOhms 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement U-MOSVIII-H Tube