TK8P25DA

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Mouser编号：

757-TK8P25DA

制造商编号：

TK8P25DA

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET

寿命周期:

工厂特别订单:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	7.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	410 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	55 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MOSVII
封装:	Reel
商标:	Toshiba
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.