TK8R2A06PL MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba TK8R2A06PL
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W 1,470库存量
3,550预期 2027/1/15
¥17.0404
¥8.136
¥6.6783
¥5.4805
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.1 mOhms 20 V 1.5 V 28.3 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube