TPCA8120 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Toshiba TPCA8120
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET LVMOS SOP-8-ADV
数据表
1,857库存量
5,000预期 2026/12/18
¥14.4753
¥9.0174
¥5.9777
¥4.746
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最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 4 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 190 nC + 150 C 45 W Enhancement