TPH1100CQ5,LQ

Toshiba
757-TPH1100CQ5LQ
TPH1100CQ5,LQ

制造商：

说明：
MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=180W F=1MHZ

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
2 Channel
150 V
90 A
11.1 mOhms
20 V
4.5 V
38 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Toshiba
配置: Dual
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET

Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET是一款8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。这些MOSFET具有改进的反向恢复特性，包括36ns快速反向恢复时间和27nC典型反向恢复电荷。TPH1100CQ5系列可降低开关电源中的功率损耗，从而提高同步整流应用的效率。Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和低漏电流额定值，因此非常适合用于各种电源和工业应用。典型应用包括高效直流/直流转换器、开关稳压器、电机驱动器、数据中心和通信基系统。

TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET

Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET是一款8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。这些MOSFET具有改进的反向恢复特性，包括36ns的快速反向恢复时间和27nC的典型反向恢复电荷。TPH1400CQ5系列可降低开关电源中的功率损耗，从而提高同步整流应用的效率。Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET具有低漏极-源极导通电阻和低漏电流额定值，因此非常适合用于各种电力和工业应用。典型应用包括高效DC/DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、数据中心和通信基础系统。

库存量: 9,447

库存：
9,447 可立即发货
生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.0578 ¥26.06
¥12.9837 ¥129.84
¥11.6616 ¥1,166.16
¥9.4242 ¥4,712.10
¥9.266 ¥9,266.00
¥8.9383 ¥22,345.75
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥8.5993 ¥42,996.50
¥8.5202 ¥85,202.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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