TPH6400ENH MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba TPH6400ENH
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
数据表
2,931库存量
剪切带
¥18.532
¥9.0174
¥8.0117
¥6.6783
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卷轴
¥5.3562
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最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 200 V 13 A 54 mOhms 20 V 4 V 11.2 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel