TPH6R30ANL MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba TPH6R30ANL
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
10,000预期 2026/11/3
剪切带
¥17.0404
¥8.136
¥7.2659
¥5.7517
卷轴
¥4.3957
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 66 A 5.1 mOhms 20 V 1.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape