.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TPH8R808QM MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

封装 / 箱体

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm TPH8R808QM,LQ Toshiba 1: ¥11.0853 3,909库存量	制造商零件编号 TPH8R808QM,LQ Mouser 零件编号 757-TPH8R808QMLQ	Toshiba	MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm 了解更多关于Toshiba umos9 h silicon n channel mosfets 的信息	数据表	3,909库存量	剪切带 ¥11.0853 ¥5.1754 ¥4.5878 ¥3.5708 查看 ¥3.503 ¥3.3222 ¥2.6668 ¥2.6329	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	60 V, 80 V	79 A	8.8 mOhms	20 V	3.5 V	26 nC	+ 175 C	109 W	Enhancement		Reel
	MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W TPH8R008NH,L1Q Toshiba 5,000: ¥5.0511 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 TPH8R008NH,L1Q Mouser 零件编号 757-TPH8R008NHL1Q	Toshiba	MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W 了解更多关于Toshiba umosviii h 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	卷轴 ¥5.0511	最低： 5,000 倍数： 5,000 : 5,000			Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	80 V	63 A	8 mOhms			35 nC		61 W		U-MOSVIII-H	Reel

TPH8R808QM MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持