TPN11006NL MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET 6,366库存量
15,000预期 2027/4/21
剪切带
¥9.8423
¥4.5539
¥4.0454
¥3.1301
卷轴
¥2.4521
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 17 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR 20,485库存量
105,000在途量
剪切带
¥8.8479
¥4.068
¥3.5934
¥2.7798
卷轴
¥2.7798
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 11.4 mOhms 20 V 1.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel