TPN1R603PL MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba TPN1R603PL
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W 25,061库存量
剪切带
¥13.2323
¥6.2715
¥5.5822
¥4.3731
¥4.181
卷轴
¥3.3787
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 188 A 1.2 mOhms 20 V 1.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel