TPN4R712MD MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba TPN4R712MD
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
数据表
29,464在途量
剪切带
¥11.7407
¥5.4805
¥4.8703
¥3.8081
卷轴
¥2.8476
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最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel