TPN6R303NC MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W 无库存交货期 24 周
剪切带
¥9.4242
¥5.8308
¥3.8307
¥3.0058
卷轴
¥2.3278
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
10,000预期 2027/3/30
剪切带
¥10.7576
¥5.0059
¥4.4409
¥3.4465
卷轴
¥2.5651
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 63 A 6.3 mOhms 20 V 2.3 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel