Name: Toshiba TRS12E65H,S1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TRS12E65HS1Q
Price: 27.89 RMB
Availability: InStock

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2L
If - 正向电流:	12 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.2 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	640 A
Ir - 反向电流 :	2.4 uA
封装:	Tube
商标:	Toshiba
Pd-功率耗散:	107 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	50
子类别:	Diodes & Rectifiers

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 瑞士
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管

Toshiba TRSx65H碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 是650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。这些元件优化了第二代产品的结势垒肖特基 (JBS) 结构，降低了肖特基接口的电场，并降低了漏电流，从而提高了效率。TRSx65H的正向电压降低了17%（1.2V典型值），与第二代器件相比，改善了正向电压和总电容电荷（17nC典型值）之间的平衡。该器件具有增强的正向电压和反向电流比，典型绝缘电阻为1.1µA。其他特性包括高达12A正向直流电流和高达640A方波非重复浪涌电流。