TRS6V65H,LQ

Toshiba
757-TRS6V65HLQ
TRS6V65H,LQ

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
6 A
650 V
1.2 V
310 A
2 uA
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
Pd-功率耗散: 60 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 2500
子类别: Diodes & Rectifiers
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合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管

Toshiba TRSx65H碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 是650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。这些元件优化了第二代产品的结势垒肖特基 (JBS) 结构，降低了肖特基接口的电场，并降低了漏电流，从而提高了效率。TRSx65H的正向电压降低了17%（1.2V典型值），与第二代器件相比，改善了正向电压和总电容电荷（17nC典型值）之间的平衡。该器件具有增强的正向电压和反向电流比，典型绝缘电阻为1.1µA。其他特性包括高达12A正向直流电流和高达640A方波非重复浪涌电流。

库存量: 4,789

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24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.826 ¥22.83
¥11.2548 ¥112.55
¥10.0909 ¥1,009.09
¥9.3451 ¥4,672.55
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¥9.3451 ¥23,362.75
¥7.0286 ¥35,143.00

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