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TSM600N25ECH C5G

Taiwan Semiconductor

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

821-TSM600N25ECHC5G

制造商编号：

TSM600N25ECH C5G

制造商：

Taiwan Semiconductor

说明：

MOSFET 250V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET

寿命周期:

与工厂核实状态:

寿命周期信息不详。获取报价以从制造商那里核实此零件编号的供货情况。

数据表:

TSM600N25ECH C5G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Taiwan Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-251-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	8.4 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Taiwan Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	14 ns
引脚数:	3
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	3750
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	340 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TSM600N25ECH C5G 数据表 (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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