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TSM60N600CI C0G

Taiwan Semiconductor

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Mouser编号：

未分配

制造商编号：

TSM60N600CI C0G

制造商：

Taiwan Semiconductor

说明：

MOSFET 600V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET

寿命周期:

停产

数据表:

TSM60N600CI C0G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Taiwan Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	ITO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	490 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	13 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	32 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Taiwan Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	21 ns
单位重量:	1.700 g

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数据表

TSM60N600CI C0G 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification 2024-01-22 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000

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