TW030N120C,S1F

Toshiba
757-TW030N120CS1F
TW030N120C,S1F

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
40 mOhms
- 10 V, + 25 V
5 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
249 W
Enhancement
商标: Toshiba
下降时间: 49 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 53 ns
系列: 3rd Generation
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 87 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V与1200V第三代碳化硅MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代碳化矽MOSFET 设计用于高功率工业应用，如400V和800VAC输入AC-DC电源、光伏（PV）逆变器和不间断电源（UPS）的双向直流-直流转换器。 由于采用SiC技术，这些Toshiba MOSFET在显著降低功耗和提高功率密度方面做出了重要贡献。这项技术允许使用更高的电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。该设计除了具有低输入电容、公共栅极输入充电/电荷和低至15mΩ的漏源导通电阻之外，还具有更强的可靠性。

库存量: 67

库存：
67 可立即发货
生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥104.5476 ¥104.55
¥59.7996 ¥598.00
¥55.4152 ¥6,649.82
¥51.7766 ¥26,406.07

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