TW031V65C,LQ

Toshiba
757-TW031V65CLQ
TW031V65C,LQ

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-5
1 Channel
650 V
53 A
45 mOhms
- 10 V, 25 V
5 V
65 nC
+ 175 C
156 W
Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 18 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 15 ns
系列: 3rd Generation
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V与1200V第三代碳化硅MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代碳化矽MOSFET 设计用于高功率工业应用，如400V和800VAC输入AC-DC电源、光伏（PV）逆变器和不间断电源（UPS）的双向直流-直流转换器。 由于采用SiC技术，这些Toshiba MOSFET在显著降低功耗和提高功率密度方面做出了重要贡献。这项技术允许使用更高的电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。该设计除了具有低输入电容、公共栅极输入充电/电荷和低至15mΩ的漏源导通电阻之外，还具有更强的可靠性。

库存量: 2,500

库存：
2,500 可立即发货
生产周期：
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥96.1969 ¥96.20
¥71.303 ¥713.03
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥71.303 ¥178,257.50

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