UF4SC120023K4S

Name: onsemi UF4SC120023K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF4SC120023K4S
Price: 202.52 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UF4SC120023K4S

制造商编号：

UF4SC120023K4S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24

数据表:

UF4SC120023K4S 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	53 A
Rds On-漏源导通电阻:	29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	37.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	385 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13.6 ns
封装:	Tube
产品:	SiC FET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24 ns
系列:	UF4SC
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	72 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET

onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是一个高性能系列，具有业界最佳的性能指标。UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、可再生能源、储能、电焊机、UPS和感应加热应用中主流800V总线架构的理想选择。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 选项，该系列基于独特的共源共栅配置，其中高性能SiC JFET与共源共栅优化的Si-MOSFET共同封装，产生标准的栅极驱动SiC器件。这一特性可实现灵活的设计，无需改变栅极驱动电压，轻松取代硅IGBT、硅FET、SiC FET或硅超级结器件。