UFB25SC12E1BC3N

Name: onsemi UFB25SC12E1BC3N
Brand: onsemi
SKU: 772-UFB25SC12E1BC3N
Price: 1154.66 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

772-UFB25SC12E1BC3N

制造商编号：

UFB25SC12E1BC3N

制造商：

onsemi

说明：

分立半导体模块 1200V/25ASICFULL-BRIDGE

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

UFB25SC12E1BC3N 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi UFB25SC12E1BC3N详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	SiC Modules
类型:	Full Bridge
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	E1B
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	UFBxxSC
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Cascode
下降时间:	16.8 ns
Id-连续漏极电流:	36 A
Pd-功率耗散:	114 W
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	45 mOhms
上升时间:	22.4 ns
工厂包装数量:	24
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
商标名:	SiC FET Module
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	52.8 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

UFB25SC12E1BC3N 数据表 (PDF)

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC E1B模块

安森美 SiC E1B模块具有独特的共源共栅电路，设有常开SiC JFET与Si MOSFET封装，因此是常关的SiC FET。SiC E1B系列提供类似硅的栅极驱动器，支持单极栅极驱动器，兼容Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET和Si超级结器件。这些安森美器件采用E1B模块封装，具有超低栅极电荷和出色的开关特性，因此非常适合用于硬开关和零电压开关软开关应用。该模块采用先进的银烧结芯片连接技术，可实现出色的功率循环和热性能。